1. Characterization of GaN layers grown on polycrystalline AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy Open Access

    Honda, A; Kwon, EM; Kim, KH; Lee, JH; Honda, Y; Kato, T; Park, JS; Ahn, HS

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   680 巻   2026年4月

  2. Red-emitting <i>μ</i>LEDs based on graded-indium InGaN nanoplatelets

    Han, QY; Cai, WT; Wang, J; Furusawa, Y; Wang, HT; Li, XG; Cheong, H; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 巻 ( 2 )   2026年1月

  3. Wavelength-tailored and dislocation-free InGaN nanoplatelets as pseudo-substrates fabricated by selective etching and regrowth

    Han, QY; Cai, WT; Wang, J; Itoh, Y; Furusawa, Y; Wang, HT; Cheong, HJ; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 巻 ( 2 )   2026年1月

  4. Study of beryllium acceptor states in aluminum nitride via cathodoluminescence analysis Open Access

    Lin, YY; Wang, J; Cai, WT; Wang, HT; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   128 巻 ( 3 )   2026年1月

  5. Comparative study of quantum efficiency for InGaN photocathodes using various alkali metals Open Access

    Idei, M; Koizumi, A; Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   44 巻 ( 1 )   2026年1月

  6. Electrical characterization and optical deep-level transient spectroscopy of autodoped GaN:C with various carbon concentrations Open Access

    Honda, A; Inayoshi, M; Taoka, N; Takeuchi, W; Watanabe, H; Kato, T; Honda, Y

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   138 巻 ( 23 )   2025年12月

  7. A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films Open Access

    Fregolent, M; Singh, S; Lu, S; Watanabe, H; Wang, J; De Santi, C; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M; Honda, Y; Amano, H; Sarkar, B

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 巻 ( 12 )   2025年12月

  8. All-GaN-Based Monolithic MIS-HEMT Integrated Micro-LED Pixels for Active-Matrix Displays Open Access

    Furusawa, Y; Cai, WT; Cheong, HJ; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   222 巻 ( 23 )   2025年12月

  9. On-State Current Increasing Structure of Source-Connected Polarization Superjunction Transistor Open Access

    Kokubo, E; Watanabe, H; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   222 巻 ( 23 )   2025年12月

  10. Highly Oriented Epitaxial Hexagonal Boron Nitride Multilayers on High-Temperature-Resistant Single-Crystal Aluminum Nitride (0001) Open Access

    Yang, X; Pristovsek, M; Nitta, S; Honda, Y; Ohtake, A; Sakuma, Y; Hiroto, T; Ishida, T; Ikezawa, M; Guo, QX; Amano, H

    ADVANCED SCIENCE   12 巻 ( 46 ) 頁： e09354   2025年12月

  11. Electron Spin Resonance and Photoluminescence Studies of Carbon-Induced Point Defects in GaN: Influence of Doping Concentration and Method Open Access

    Honda, A; Watanabe, H; Kato, T; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   262 巻 ( 12 )   2025年12月

  12. Characterization of Quaternary Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-(x+y)</sub>In<sub>y</sub>N (<i>x</i> ≈ 0.5 and <i>y</i> ≤ 0.12) Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth Focusing on Unintentionally Incorporated Impurities Open Access

    Yamada, Y; Kumabe, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   262 巻 ( 12 )   2025年12月

  13. On barrier-free vertical GaN PN junction diode enabled by ion-implantation and ex-situ Mg diffusion process Open Access

    Singh, S; Kwon, W; Li, XG; Wang, J; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H; Sarkar, B

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 巻 ( 9 )   2025年9月

  14. Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics Open Access

    Kobayashi, A; Maeda, T; Akiyama, T; Kawamura, T; Honda, Y

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   222 巻 ( 17 )   2025年9月

  15. Quantum efficiency characteristics of low-threading-dislocation-density InGaN photocathode grown on GaN substrate

    Idei, M; Sato, D; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   43 巻 ( 3 )   2025年5月

  16. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesas by contactless photo-electrochemical etching Open Access

    Toyoda, H; Kwon, W; Watanabe, H; Tsukamoto, R; Furusawa, Y; Itoh, Y; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   18 巻 ( 3 )   2025年3月

  17. Fabrication of GaN vertical junction barrier Schottky diode by Mg diffusion from shallow N/Mg ion-implantation segment

    Kwon, W; Itoh, Y; Tanaka, A; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   18 巻 ( 1 )   2025年1月

  18. Observation of 2D-magnesium-intercalated gallium nitride superlattices

    Wang, J; Cai, WT; Lu, WF; Lu, S; Kano, E; Agulto, VC; Sarkar, B; Watanabe, H; Ikarashi, N; Iwamoto, T; Nakajima, M; Honda, Y; Amano, H

    NATURE   631 巻 ( 8019 ) 頁： 67 - +   2024年7月

  19. Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes With Dopant-Free Distributed Polarization Doping 査読有り

    Kumabe, T; Yoshikawa, A; Kawasaki, S; Kushimoto, M; Honda, Y; Arai, M; Suda, J; Amano, H

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   71 巻 ( 5 ) 頁： 3396 - 3402   2024年5月

  20. Investigation of carbon-related complexes in highly C-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Honda, A; Watanabe, H; Takeuchi, W; Honda, Y; Amano, H; Kato, T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   63 巻 ( 4 )   2024年4月

  21. 15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT Diodes With Pulsed Peak Power of 25.5 W 査読有り

    Kawasaki, S; Kumabe, T; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   71 巻 ( 3 ) 頁： 1408 - 1415   2024年3月

  22. Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering 査読有り

    Kobayashi, A; Honda, Y; Maeda, T; Okuda, T; Ueno, K; Fujioka, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   17 巻 ( 1 )   2024年1月

  23. SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode

    Arakawa, Y; Niimi, K; Otsuka, Y; Sato, D; Koizumi, A; Shikano, H; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVIII   12955 巻   2024年

  24. Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector 査読有り

    Nakagawa, H; Hayashi, K; Miyazawa, A; Honda, Y; Amano, H; Aoki, T; Nakano, T

    SENSORS AND MATERIALS   36 巻 ( 1 ) 頁： 169 - 176   2024年

  25. Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology 査読有り

    Sato, D; Arakawa, Y; Niimi, K; Fukuroi, K; Tajiri, Y; Koizumi, A; Shikano, H; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVIII   12955 巻   2024年

  26. Investigation of Photoemission at InGaN Vacuum-Traveling-Carrier Photodiodes for THz-wave Generation

    Qian, CY; Sugimoto, Y; Ishii, H; Maeda, T; Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Mikami, Y; Kato, K

    2024 INTERNATIONAL TOPICAL MEETING ON MICROWAVE PHOTONICS, MWP 2024     2024年

  27. Anisotropic hole transport along [0001] and [1120] direction in p-doped (1010) GaN 査読有り Open Access

    Lin, YY; Wang, J; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   134 巻 ( 23 )   2023年12月

  28. Electron lifetime and diffusion coefficient in dopant-free p-type distributed polarization doped AlGaN 査読有り Open Access

    Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   123 巻 ( 25 )   2023年12月

  29. Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz 査読有り

    Kawasaki, S; Kumabe, T; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   44 巻 ( 8 ) 頁： 1328 - 1331   2023年8月

  30. Reverse Leakage Mechanism of Dislocation-Free GaN Vertical p-n Diodes 査読有り

    Kwon, W; Kawasaki, S; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Ikeda, H; Iso, K; Amano, H

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   44 巻 ( 7 ) 頁： 1172 - 1175   2023年7月

  31. Hole mobility limiting factors in dopant-free p-type distributed polarization-doped AlGaN 査読有り Open Access

    Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   122 巻 ( 25 )   2023年6月

  32. Stress relaxation of AlGaN on nonpolar m-plane GaN substrate 査読有り Open Access

    Lin, YY; Sena, H; Frentrup, M; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   133 巻 ( 22 )   2023年6月

  33. A Review on the Progress of AlGaN Tunnel Homojunction Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り Open Access

    Nagata, K; Matsubara, T; Saito, Y; Kataoka, K; Narita, T; Horibuchi, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

    CRYSTALS   13 巻 ( 3 )   2023年3月

  34. Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion 査読有り Open Access

    Inoue, Y; Nishitani, T; Honda, A; Sato, D; Shikano, H; Koizumi, A; Honda, Y; Ichihara, D; Sasoh, A

    TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES   66 巻 ( 1 ) 頁： 10 - 13   2023年

  35. Novel Electron Beam Technology using InGaN Photocathode for High-Throughput Scanning Electron Microscope Imaging 査読有り

    Sato, D; Koizumi, A; Shikano, H; Noda, S; Otsuka, Y; Yasufuku, D; Mori, K; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVII   12496 巻   2023年

  36. Evaluation of Switching Characteristics of High Breakdown Voltage GaN-PSJ Transistors at Liquid Nitrogen Temperature

    Deki, M; Kawarabayashi, H; Honda, Y; Amano, H

    AIAA AVIATION 2023 FORUM     2023年

  37. Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars 査読有り Open Access

    Sato, SI; Li, S; Greentree, AD; Deki, M; Nishimura, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Gibson, BC; Ohshima, T

    SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 ) 頁： 21208   2022年12月

  38. Local stress control to suppress dislocation generation for pseudomorphically grown AlGaN UV-C laser diodes 査読有り Open Access

    Kushimoto, M; Zhang, ZY; Yoshikawa, A; Aoto, K; Honda, Y; Sasaoka, C; Schowalter, LJ; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 22 )   2022年11月

  39. N極性面AlGaN/AlNヘテロ接合型FETの性能改善

    稲原 大輔, 松田 駿佑, 松村 航, 奥野 椋, 花咲 光基, 小脇 岳士, 宮本 弥凪, 金崎 蓮, 齊藤 俊介, 藤井 開, 倉井 聡, 岡田 成仁, 姚 永昭, 石川 由加里, 田中 敦之, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 山田 陽一

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.2 巻 ( 0 ) 頁： 2869 - 2869   2022年8月

  40. Understanding indium incorporation of InGaN grown on polar, semi-polar, and non-polar orientation by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Hu, N; Avit, G; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 8 )   2022年8月

  41. Author Correction: Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors. 査読有り Open Access

    Tanaka A, Sugiura R, Kawaguchi D, Wani Y, Watanabe H, Sena H, Ando Y, Honda Y, Igasaki Y, Wakejima A, Ando Y, Amano H

    Scientific reports   12 巻 ( 1 ) 頁： 8175   2022年5月

  42. Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors 査読有り Open Access

    Tanaka, A; Sugiura, R; Kawaguchi, D; Wani, Y; Watanabe, H; Sena, H; Ando, Y; Honda, Y; Igasaki, Y; Wakejima, A; Ando, Y; Amano, H

    SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 ) 頁： 7363   2022年5月

  43. The effect of dry etching condition on the performance of blue micro light-emitting diodes with reduced quantum confined Stark effect epitaxial layer 査読有り

    Park, JH; Cai, W; Cheong, H; Ushida, Y; Lee, DH; Ando, Y; Furusawa, Y; Honda, Y; Lee, DS; Seong, TY; Amano, H

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   131 巻 ( 15 )   2022年4月

  44. Improved device performance of vertical GaN-on-GaN nanorod Schottky barrier diodes with wet-etching process 査読有り Open Access

    Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Cai, WT; Ando, YT; Yang, X; Watanabe, H; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   120 巻 ( 12 )   2022年3月

  45. 加熱下でのNEA活性化におけるInGaNの電子放出特性

    鹿島 将央, 糸川 佑也, 金井 俊也, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 飯島 北斗, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩, 目黒 多加志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1 巻 ( 0 ) 頁： 1343 - 1343   2022年2月

  46. Ohmic Contact to <i>p</i>-Type GaN Enabled by Post-Growth Diffusion of Magnesium 査読有り Open Access

    Wang, J; Lu, S; Cai, WT; Kumabe, T; Ando, Y; Liao, YQ; Honda, Y; Xie, YH; Amano, H

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   43 巻 ( 1 ) 頁： 150 - 153   2022年1月

  47. An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs Using Rational Functions and Dependent Current Sources 査読有り Open Access

    Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Roy, S; Sarkar, B

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   10 巻   頁： 797 - 807   2022年

  48. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions 査読有り

    Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Roy, S; Sarkar, B

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   68 巻 ( 12 ) 頁： 6059 - 6064   2021年12月

  49. Cyclotron production of <sup>225</sup>Ac from an electroplated <sup>226</sup>Ra target. 査読有り Open Access

    Nagatsu K, Suzuki H, Fukada M, Ito T, Ichinose J, Honda Y, Minegishi K, Higashi T, Zhang MR

    European journal of nuclear medicine and molecular imaging   49 巻 ( 1 ) 頁： 279 - 289   2021年12月

  50. Vertical GaN p<SUP>+</SUP>-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy (vol 119, 152102, 2021) 査読有り Open Access

    Ohnishi, K; Kawasaki, S; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 20 )   2021年11月

  51. NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い 査読有り

    鹿島 将央, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 飯島 北斗, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩, 目黒 多加志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1 巻 ( 0 ) 頁： 1347 - 1347   2021年2月

  52. Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs 査読有り Open Access

    Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Honda, Y; Roy, S; Amano, H; Sarkar, B

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9 巻   頁： 570 - 581   2021年

  53. Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り 国際誌

    Sandupatla, A; Arulkumaran, S; Ng, GI; Ranjan, K; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁： .   2020年7月

  54. Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り 国際誌 Open Access

    Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 ) 頁： .   2020年6月

  55. Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices 査読有り Open Access

    Liu, Q; Fujimoto, N; Shen, J; Nitta, S; Tanaka, A; Honda, Y; Sitar, Z; Bockowski, M; Kumagai, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   頁： .   2020年6月

  56. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り 国際誌 Open Access

    Takahashi, M; Tanaka, A; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Shima, K; Kojima, K; Chichibu, SF; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁： .   2020年5月

  57. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 査読有り

    Takahashi, M; Tanaka, A; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Shima, K; Kojima, K; Chichibu, SF; Chen, KJ; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

  58. Simultaneous Growth of Multi-Color Micro LEDs Based on Super Thin Micro-Platelets with Various Surface Areas 査読有り

    Cai Wentao, Kushimoto Maki, Manato Deki, Tanaka Atsushi, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2020.1 巻 ( 0 ) 頁： 3111 - 3111   2020年2月

  59. Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macrosteps using cathodoluminescence spectroscopy 査読有り

    Nagasawa, Y; Sugie, R; Kojima, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Chichibu, SF

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   126 巻 ( 21 )   2019年12月

  60. GaN薄膜における貫通転位およびナノパイプm壁面の第一原理計算に基づく電子状態解析 査読有り

    中野 崇志, 長川 健太, 洗平 昌晃, 白石 賢二, 押山 淳, 宇佐美 茂佳, 草場 彰, 寒川 義裕, 田中 敦之, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1 巻 ( 0 ) 頁： 3122 - 3122   2019年2月

  61. 昇温脱離法によるInGaN表面上のCs層の解析

    鹿島 将央, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩, 飯島 北斗, 目黒 多加志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1 巻 ( 0 ) 頁： 1670 - 1670   2018年3月

  62. Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes 査読有り

    Yates, L; Pavlidis, G; Graham, S; Usami, S; Nagamatsu, K; Honda, Y; Amano, H

    PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)     頁： 831 - 837   2018年

  63. NEA-InGaNフォトカソードの量子効率に対する熱処理の効果

    鹿島 将央, 飯島 北斗, 西谷 智博, 佐藤 大樹, 本田 善央, 天野 浩, 目黒 多加志

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1 巻 ( 0 ) 頁： 1554 - 1554   2017年3月

  64. フッ素系樹脂の深紫外発光ダイオード用封止樹脂としての耐久性とその劣化機構

    長澤 陽祐, 山田 貴穂, 永井 祥子, 平野 光, 一本松 正道, 青崎 耕, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1 巻 ( 0 ) 頁： 1136 - 1136   2017年3月

  65. 窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価

    松下 淳矢, 永松 謙太郎, Yang Xu, 田中 敦之, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2 巻 ( 0 ) 頁： 2888 - 2888   2016年9月

  66. GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析

    宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2 巻 ( 0 ) 頁： 2867 - 2867   2016年9月

  67. Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 査読有り

    Honda Yoshio

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   2016年

  68. Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 査読有り

    Honda Yoshio, AMANO Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   55 巻   2016年

  69. HVPE and VLS-HVPE synthesis of vertical and horizontal GaN nanowires

    Lekhal Kaddour, Mitsunari Tadashi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2014.2 巻 ( 0 ) 頁： 1745 - 1745   2014年9月

  70. Characteristics of <i>a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned <i>r</i>-plane sapphire substrates 査読有り

    Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Baik, KH; Seo, YG; Hwang, SM

    THIN SOLID FILMS   546 巻   頁： 108 - 113   2013年11月

  71. Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

    Murotani, H; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   114 巻 ( 15 )   2013年10月

  72. Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1(1)over-bar01) GaN 査読有り

    Tanikawa, T; Sano, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  73. GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Nakagawa, S; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  74. Growth of GaN on Si(111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

    Yamada, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  75. Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

    Ohata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  76. Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Doi, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  77. Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

    Tabata, T; Paek, J; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  78. High Internal Quantum Efficiency Blue-Green Light-Emitting Diode with Small Efficiency Droop Fabricated on Low Dislocation Density GaN Substrate 査読有り

    Sano, T; Doi, T; Inada, SA; Sugiyama, T; Honda, Y; Amano, H; Yoshino, T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  79. Growth Mode and Threading Dislocation Behavior of GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrate with Radial Stripe Pattern 査読有り

    Okuno, K; Oshio, T; Shibata, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 )   2013年8月

  80. I-1-2 高密度ラジカル源を用いた分子線エピタキシー法によるIII族窒化物エピタキシャル成長(窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス-窒化物LEDに関わる先端デバイスプロセシング-,口頭発表) Open Access

    河合 洋次郎, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 近藤 博基, 平松 美根男, 加納 浩之, 山川 晃司, 田 昭治, 堀 勝

    IIP情報・知能・精密機器部門講演会講演論文集   2013 巻 ( 0 ) 頁： 5 - 7   2013年

  81. Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

  82. Strain relaxation in thick ($1{\bar {1}}01$) InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

    Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   249 巻 ( 3 ) 頁： 468 - 471   2012年3月

  83. Impurity incorporation in semipolar (1-1 0 1) GaN grown on an Si substrate 査読有り

    Sawaki, N; Hagiwara, K; Hikosaka, T; Honda, Y

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   27 巻 ( 2 )   2012年2月

  84. Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

    本田 善央

    日本結晶成長学会誌   38 巻 ( 4 ) 頁： 241 - 248   2012年

  85. Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

    Inazu, T; Fukahori, S; Pernot, C; Kim, MH; Fujita, T; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 12 )   2011年12月

  86. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    Kim, M; Fujita, T; Fukahori, S; Inazu, T; Pernot, C; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 9 )   2011年9月

  87. Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes 査読有り Open Access

    Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   208 巻 ( 5 ) 頁： 1175 - 1178   2011年5月

  88. Optical properties of (1 (1)over-bar 0 1) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chen, YC; Ling, SC; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   318 巻 ( 1 ) 頁： 500 - 504   2011年3月

  89. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11(2)over-bar2) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Murase, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 巻 ( 1 )   2011年1月

  90. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    Sawaki, N; Honda, Y

    SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES   54 巻 ( 1 ) 頁： 38 - 41   2011年1月

  91. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 1 )   2011年1月

  92. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    Sugiura, T; Kim, EH; Honda, Y; Takagi, H; Tsukamoto, T; Andoh, H; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS   1399 巻   2011年

  93. Achieving high-growth-rate in GaN homoepitaxy using high-density nitrogen radical source 査読有り

    Kawai Yohjiro, Chen Shang, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Kano Hiroyuki, Yamakawa Koji, Den Shoji, Hori Masaru

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

  94. ラマン分光法を用いたCaN/Siの残留歪みの評価に関する研究

    杉浦 藤虎, 本田 善央, 岡本 明大, 高木 宏幸, 塚本 武彦, 安藤 浩哉

    豊田工業高等専門学校研究紀要   42 巻 ( 0 ) 頁： 19 - 22   2010年

  95. Influence of a SiO<sub>2</sub> Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

    Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY   54 巻 ( 6 ) 頁： 2363 - 2366   2009年6月

  96. Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

    Sawaki, N; Hikosaka, T; Koide, N; Tanaka, S; Honda, Y; Yamaguchi, M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 - 2874   2009年5月

  97. Maskless selective growth of semi-polar (11(2)over-bar2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 巻 ( 10 ) 頁： 2914 - 2918   2009年5月

  98. Scattering times in the two-dimensional electron gas of Al<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N/AlN/GaN heterostructures 査読有り

    Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N; Tanaka, T; Guo, QX; Nishio, M

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   42 巻 ( 4 )   2009年2月

  99. Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy 査読有り

    TANAKA Shigeyasu, AOYAMA Kentaro, ICHIHASHI Mikio, ARAI Shigeo, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko

    Journal of electron microscopy   56 巻 ( 4 ) 頁： 141 - 144   2007年8月

  100. Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy 査読有り

    Tanaka, S; Aoyama, K; Ichihashi, M; Arai, S; Honda, Y; Sawaki, N

    JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY   56 巻 ( 4 ) 頁： 141 - 144   2007年8月

  101. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AlGaN/AlN/Si heterostructure 査読有り

    TANAKA Shigeyasu, NAITO Akiyuki, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko, ICHIHASHI Mikio

    Journal of electron microscopy   56 巻 ( 2 ) 頁： 37 - 42   2007年4月

  102. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

    Tanaka, S; Naito, A; Honda, Y; Sawaki, N; Ichihashi, M

    JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY   56 巻 ( 2 ) 頁： 37 - 42   2007年4月

  103. Mg doping in (1(1)over-bar01)GaN grown on a 7° off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Hikosaka, T; Koide, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 巻   頁： 207 - 210   2007年1月

  104. Carbon incorporation on (1101) facet of AlGaN in metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Koide, N; Hikosaka, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 10A ) 頁： 7655 - 7660   2006年10月

  105. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

    Narita, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   243 巻 ( 7 ) 頁： 1665 - 1668   2006年6月

  106. Series resistance in n-GaN/AIN/n-Si heterojunction structure 査読有り

    Kondo, H; Koide, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 巻 ( 5A ) 頁： 4015 - 4017   2006年5月

  107. (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   105 巻 ( 94 ) 頁： 69 - 74   2005年5月

  108. [Congenital middle ear cholesteatoma: experience in 48 cases].

    Kojima H, Miyazaki H, Tanaka Y, Shiwa M, Honda Y, Moriyama H

    Nihon Jibiinkoka Gakkai kaiho   106 巻 ( 9 ) 頁： 856 - 65   2003年9月

  109. Selective Growth of GaN/AlGaN Microstructures by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. 査読有り

    Kato Tomonobu, Honda Yoshio, Kawaguchi Yasutoshi, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    Japanese Journal of Applied Physics   40 巻 ( 3B ) 頁： 1896 - 1898   2001年

  110. Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO<sub> 2</sub> Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

      37 巻 ( 8B ) 頁： L966 - L969   1998年

  111. Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy Open Access

    Ohnishi, K; Hamasaki, K; Nitta, S; Fujimoto, N; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   648 巻   2024年12月

  112. Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers

    Chichibu, SF; Shima, K; Uedono, A; Ishibashi, S; Iguchi, H; Narita, T; Kataoka, K; Tanaka, R; Takashima, S; Ueno, K; Edo, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Suda, J; Amano, H; Kachi, T; Nabatame, T; Irokawa, Y; Koide, Y

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   135 巻 ( 18 )   2024年5月

  113. Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy

    Hamasaki, K; Ohnishi, K; Nitta, S; Fujimoto, N; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   628 巻   頁： 127529 - 127529   2024年2月

  114. Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate

    Watanabe, H; Nitta, S; Ando, Y; Ohnishi, K; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   628 巻   頁： 127552 - 127552   2024年2月

  115. Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing

    Ito, S; Sato, S; Bockowski, M; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Yoshida, K; Minagawa, H; Hagura, N

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   547 巻   2024年2月

  116. Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field-Effect Transistors

    Inahara, D; Matsuda, S; Matsumura, W; Okuno, R; Hanasaku, K; Kowaki, T; Miyamoto, M; Yao, YZ; Ishikawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Nitta, S; Amano, H; Kurai, S; Okada, N; Yamada, Y

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   220 巻 ( 16 )   2023年8月

  117. Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic 査読有り

    Lu, S; Deki, M; Kumabe, T; Wang, J; Ohnishi, K; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   122 巻 ( 14 )   2023年4月

  118. Temperature Field, Flow Field, and Temporal Fluctuations Thereof in Ammonothermal Growth of Bulk GaN-Transition from Dissolution Stage to Growth Stage Conditions 査読有り Open Access

    Schimmel, S; Tomida, D; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, SE; Amano, H

    MATERIALS   16 巻 ( 5 ) 頁： 2016 1 - 27   2023年3月

  119. Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates

    Cai, WT; Wang, J; Park, JH; Furusawa, Y; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( 2 ) 頁： 020902 - 020902   2023年2月

  120. Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes

    Nishitani, T; Arakawa, Y; Noda, S; Koizumi, A; Sato, D; Shikano, H; Iijima, H; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   40 巻 ( 6 )   2022年12月

  121. High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications

    Cai, WT; Furusawa, Y; Wang, J; Park, JH; Liao, YQ; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 21 )   2022年11月

  122. Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture Open Access

    Itoh, Y; Lu, S; Watanabe, H; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 11 ) 頁： 116505 - 116505   2022年11月

  123. The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O2 Open Access

    Kashima, M; Itokawa, Y; Kanai, T; Sato, D; Koizumi, A; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Meguro, T

    APPLIED SURFACE SCIENCE   599 巻   2022年10月

  124. Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy 査読有り Open Access

    Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Lu, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   132 巻 ( 14 )   2022年10月

  125. High-Energy Computed Tomography as a Prospective Tool for In Situ Monitoring of Mass Transfer Processes inside High-Pressure Reactors-A Case Study on Ammonothermal Bulk Crystal Growth of Nitrides including GaN 査読有り Open Access

    Schimmel, S; Salamon, M; Tomida, D; Neumeier, S; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, SF; Amano, H

    MATERIALS   15 巻 ( 17 ) 頁： 6165 1 - 17   2022年9月

  126. Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates 査読有り Open Access

    Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   592 巻   頁： 126749 - 126749   2022年8月

  127. Weak metastability of Al<i> <sub>x</sub> </i>Ga<sub>1-<i>x</i> </sub>N (<i>x</i>=13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps 査読有り 国際誌

    Hirano, A; Nagasawa, Y; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Kojima, K; Chichibu, SF

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 7 ) 頁： 075505 1 - 5   2022年7月

  128. Space-Charge Profiles and Carrier Transport Properties in Dopant-Free GaN-Based p-n Junction Formed by Distributed Polarization Doping

    Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   16 巻 ( 7 )   2022年7月

  129. Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al <i><sub>n</sub></i> <sub>/12</sub>Ga<sub>1-<i>n</i>/12</sub>N (<i>n</i>=2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells 査読有り

    Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Chichibu, SF

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 25 ) 頁： 255102 1 - 11   2022年6月

  130. "Regrowth-free" fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration Open Access

    Kumabe, T; Watanabe, H; Ando, Y; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 ) 頁： 046506 - 046506   2022年4月

  131. Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode Open Access

    Nagata, K; Anada, S; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 ) 頁： 044003 - 044003   2022年4月

  132. Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for enhanced light emission in AlGaN-based homojunction tunnel junction DUV-LED Open Access

    Matsubara, T; Nagatat, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 4 )   2022年4月

  133. Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p-n junction Open Access

    Nagata, K; Anada, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Yamamoto, K; Hirayama, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 3 )   2022年3月

  134. Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN Open Access

    Itoh, Y; Watanabe, H; Ando, Y; Kano, E; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Ikarashi, N; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 2 )   2022年2月

  135. Threshold increase and lasing inhibition due to hexagonal-pyramid-shaped hillocks in AlGaN-based DUV laser diodes on single-crystal AlN substrate Open Access

    Kushimoto, M; Zhang, ZY; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( 1 ) 頁： 010601 - 010601   2022年1月

  136. Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg 査読有り Open Access

    Lu, S; Deki, M; Wang, J; Ohnishi, K; Ando, Y; Kumabe, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 24 ) 頁： 242104 - 242104   2021年12月

  137. Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al<sub>1/2</sub>Ga<sub>1/2</sub>N and Al<sub>1/3</sub>Ga<sub>2/3</sub>N created in nonflat AlGaN quantum wells 査読有り

    Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Chichibu, SF

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   54 巻 ( 48 ) 頁： 485107-1 - 10   2021年12月

  138. Multiple electron beam generation from InGaN photocathode

    Sato, D; Shikano, H; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   39 巻 ( 6 )   2021年12月

  139. Vertical GaN p<SUP>+</SUP>-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り Open Access

    Ohnishi, K; Kawasaki, S; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 15 ) 頁： 152102 - 152102   2021年10月

  140. Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes 査読有り

    Nakano, T; Mochizuki, K; Arikawa, T; Nakagawa, H; Usami, S; Honda, Y; Amano, H; Vogt, A; Schuett, S; Fiederle, M; Kojima, K; Chichibu, SF; Inoue, Y; Aoki, T

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   130 巻 ( 12 ) 頁： 124501-1 - 10   2021年9月

  141. Smart-cut-like laser slicing of GaN substrate using its own nitrogen Open Access

    Tanaka, A; Sugiura, R; Kawaguchi, D; Yui, T; Wani, Y; Aratani, T; Watanabe, H; Sena, H; Honda, Y; Igasaki, Y; Amano, H

    SCIENTIFIC REPORTS   11 巻 ( 1 ) 頁： 17949   2021年9月

  142. Gallium nitride wafer slicing by a sub-nanosecond laser: effect of pulse energy and laser shot spacing Open Access

    Sena, H; Tanaka, A; Wani, Y; Aratani, T; Yui, T; Kawaguchi, D; Sugiura, R; Honda, Y; Igasaki, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING   127 巻 ( 9 )   2021年9月

  143. Reduction in operating voltage of AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diodes by controlling impurity concentrations Open Access

    Nagata, K; Makino, H; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

  144. Impact of gate electrode formation process on Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN interface properties and channel mobility

    Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Yamada, H; Shimizu, M; Nakamura, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

  145. Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers

    Matsukura, Y; Inazu, T; Pernot, C; Shibata, N; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 ) 頁： 084004 - 084004   2021年8月

  146. Electrical properties and structural defects of p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

    Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   566 巻   頁： 126173 - 126173   2021年7月

  147. Vertical GaN-on-GaN nanowire Schottky barrier diodes by top-down fabrication approach

    Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Cai, WT; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 7 )   2021年7月

  148. Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching Open Access

    Kumabe, T; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

  149. Impact of heat treatment process on threshold current density in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes on AlN substrate Open Access

    Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 5 ) 頁： 051003 - 051003   2021年5月

  150. Discrete AlN mole fraction of <i>n</i>/12 (<i>n</i>=4-8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates

    Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Kojima, K; Chichibu, SF

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   129 巻 ( 16 ) 頁： 164503 - 164503   2021年4月

  151. Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

    Kawasaki, S; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

  152. Numerical Simulation of Ammonothermal Crystal Growth of GaN-Current State, Challenges, and Prospects Open Access

    Schimmel, S; Tomida, D; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, S; Amano, H

    CRYSTALS   11 巻 ( 4 ) 頁： 356 - 356   2021年4月

  153. Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching

    Yamada, T; Ando, Y; Watanabe, H; Furusawa, Y; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Suda, J; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 3 )   2021年3月

  154. Boundary Conditions for Simulations of Fluid Flow and Temperature Field during Ammonothermal Crystal Growth-A Machine-Learning Assisted Study of Autoclave Wall Temperature Distribution 査読有り Open Access

    Schimmel, S; Tomida, D; Saito, M; Bao, QX; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, S; Amano, H

    CRYSTALS   11 巻 ( 3 ) 頁： 254 -1 - 27   2021年3月

  155. Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication 査読有り Open Access

    Yasuda, H; Nishitani, T; Ichikawa, S; Hatanaka, S; Honda, Y; Amano, H

    QUANTUM BEAM SCIENCE   5 巻 ( 1 ) 頁： 5 - 5   2021年3月

  156. Suppression of the regrowth interface leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by unactivated Mg doped GaN layer Open Access

    T. Liu, H. Watanabe, S. Nitta, J. Wang, G. Yu, Y. Ando, Y. Honda, H. Amano, A. Tanaka, Y. Koide

    Applied Physics Letters   118 巻 ( 7 )   2021年2月

  157. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride (vol 10, pg 2614, 2020) Open Access

    Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   11 巻 ( 2 ) 頁： 524 - 524   2021年2月

  158. Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces

    Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 24 ) 頁： 242104 - 242104   2020年12月

  159. Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>N layer grown on an AlN template with dense macrosteps

    Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Kojima, K; Chichibu, SF

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 12 )   2020年12月

  160. Epitaxial Combination of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride with Single-Crystalline Diamond Substrate

    Yang, X; Pristovsek, M; Nitta, S; Liu, YH; Honda, Y; Koide, Y; Kawarada, H; Amano, H

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   12 巻 ( 41 ) 頁： 46466 - 46475   2020年10月

  161. Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride Open Access

    Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

    OPTICAL MATERIALS EXPRESS   10 巻 ( 10 ) 頁： 2614 - 2623   2020年10月

  162. Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures 査読有り

    Sato, S; Deki, M; Nishimura, T; Okada, H; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Ohshima, T

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   479 巻   頁： 7 - 12   2020年9月

  163. Low interface state densities at Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces Open Access

    Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 10 ) 頁： 102102 - 102102   2020年9月

  164. Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO 査読有り

    Kimura, T; Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Araidai, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Kangawa, Y; Shiraishi, K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 8 ) 頁： 088001 - 088001   2020年8月

  165. Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN 査読有り

    Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   8 巻 ( 25 ) 頁： 8668 - 8675   2020年7月

  166. Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p–n diodes Open Access

    T. Nakano, Y. Harashima, K. Chokawa, K. Shiraishi, A. Oshiyama, Y. Kangawa, S. Usami, N. Mayama, K. Toda, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

    Applied Physics Letters   117 巻 ( 1 ) 頁： 012105 - 012105   2020年7月

  167. Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り

    Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁： .   2020年7月

  168. Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering 査読有り

    Kushimoto, M; Sakai, T; Ueoka, Y; Tomai, S; Katsumata, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   217 巻 ( 14 )   2020年7月

  169. Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り Open Access

    Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 6 ) 頁： .   2020年6月

  170. Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices Open Access

    Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Shen Jian, Nitta Shugo, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Sitar Zlatko, Bockowski Michal, Kumagai Yoshinao, Amano Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   539 巻   頁： . - 125643   2020年6月

  171. Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り Open Access

    Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

    Japanese Journal of Applied Physics   59 巻 ( 5 ) 頁： 056502 - 056502   2020年5月

  172. Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method

    Tanaka, A; Inotsume, S; Harada, S; Hanada, K; Honda, Y; Ujihara, T; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

  173. On-wafer fabrication of etched-mirror UV-C laser diodes with the ALD-deposited DBR 査読有り Open Access

    Sakai, T; Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Schowalter, LJ; Honda, Y; Sasaoka, C; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 12 )   2020年3月

  174. Indium incorporation and optical properties of polar, semipolar and nonpolar InAlN 査読有り Open Access

    Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   35 巻 ( 3 )   2020年3月

  175. InGaN半導体フォトカソードにおける量子効率のInGaN膜厚依存性

    佐藤 大樹, 本田 杏奈, 小泉 淳, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1 巻   頁： 1516 - 1516   2020年2月

  176. Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O-activated InGaN photocathode

    Sato, D; Honda, A; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   223 巻   2020年2月

  177. Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry

    Ye, Z; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 2 )   2020年2月

  178. Visualization of different carrier concentrations in <i>n</i>-type-GaN semiconductors by phase-shifting electron holography with multiple electron biprisms 査読有り Open Access

    Yamamoto, K; Nakano, K; Tanaka, A; Honda, Y; Ando, Y; Ogura, M; Matsumoto, M; Anada, S; Ishikawa, Y; Amano, H; Hirayama, T

    MICROSCOPY   69 巻 ( 1 ) 頁： 1 - 10   2020年2月

  179. Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism

    Yang, X; Nitta, S; Pristovsek, M; Liu, YH; Liao, YQ; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    2D MATERIALS   7 巻 ( 1 )   2020年1月

  180. Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum Open Access

    Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   38 巻 ( 1 )   2020年1月

  181. マクロステップを持つ<i>c</i>面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

    小島 一信, 長澤 陽祐, 平野 光, 一本松 正道, 杉江 隆一, 本田 善央, 天野 浩, 赤﨑 勇, 秩父 重英

    日本結晶成長学会誌   47 巻 ( 3 ) 頁： n/a   2020年

  182. Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes

    Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

    PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)   2020-September 巻   頁： 349 - 352   2020年

  183. Untwinned semipolar (10(1)over-bar3) Al<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N layers grown on m-plane sapphire 査読有り

    Dinh, DV; Hu, N; Amano, H; Honda, Y; Pristovsek, M

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   34 巻 ( 12 )   2019年12月

  184. Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 査読有り

    M. Takahashi, A. Tanaka, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. J. Chen, H. Amano

    Physica Status Solidi (b)   257 巻   頁： 1900554 - 1900554   2019年12月

  185. Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macro-steps using cathodoluminescence spectroscopy 査読有り

    Journal of Applied Physics   126 巻 ( 21 ) 頁： 215703 1 - 10   2019年12月

  186. Low Voltage High-Energy α-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency. 査読有り Open Access

    Sandupatla A, Arulkumaran S, Ranjan K, Ng GI, Murmu PP, Kennedy J, Nitta S, Honda Y, Deki M, Amano H

    Sensors (Basel, Switzerland)   19 巻 ( 23 )   2019年11月

  187. Aluminium incorporation in polar, semi- and non-polar AlGaN layers: a comparative study of x-ray diffraction and optical properties 査読有り Open Access

    Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

    SCIENTIFIC REPORTS   9 巻 ( 1 ) 頁： 15802   2019年11月

  188. V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate Open Access

    Tanaka, A; Nagamatsu, K; Usami, S; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Bockowski, M; Amano, H

    AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

  189. Precise Measurement of Carrier Concentrations in n-Type GaN by Phase-Shifting Electron Holography

    Kazuo Yamamoto, Kiyotaka Nakano, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Yuto Ando, Masaya Ogura, Miko Matsumoto, Satoshi Anada, Yukari Ishikawa, Hiroshi Amano, Tsukasa Hirayama

    Microscopy and Microanalysis   25 巻 ( S2 ) 頁： 50 - 51   2019年8月

  190. Origin of acceptor diffusion into silicon substrate during GaN growth by metal organic chemical vapor deposition 査読有り Open Access

    Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Torigoe, K; Kushimoto, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 7 )   2019年7月

  191. Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth Open Access

    Ye, Z; Nitta, S; Nagamatsu, K; Fujimoto, N; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁： 63 - 66   2019年6月

  192. Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current 査読有り 国際誌

    Usami, S; Mayama, N; Toda, K; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 23 )   2019年6月

  193. Computational fluid dynamics simulation study of the gas flow balance in a vertical HVPE reactor with a showerhead for low cost bulk GaN crystal growth 査読有り

    Liu, Q; Fujimoto, N; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  194. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Chichibu, SF; Kumagai, Y; Kojima, K; Deura, M; Akiyama, T; Arita, M; Fujioka, H; Fujiwara, Y; Hara, N; Hashizume, T; Hirayama, H; Holmes, M; Honda, Y; Imura, M; Ishii, R; Ishitani, Y; Iwaya, M; Kamiyama, S; Kangawa, Y; Katayama, R; Kawakami, Y; Kawamura, T; Kobayashi, A; Kuzuhara, M; Matsumoto, K; Mori, Y; Mukai, T; Murakami, H; Murotani, H; Nakazawa, S; Okada, N; Saito, Y; Sakai, A; Sekiguchi, H; Shiozaki, K; Shojiki, K; Suda, J; Takeuchi, T; Tanikawa, T; Tatebayashi, J; Tomiya, S; Yamada, Y

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  195. Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読有り 国際誌 Open Access

    Uemura, K; Deki, M; Honda, Y; Amano, H; Sato, T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SC ) 頁： SCCD20-1 - SCCD20-6   2019年6月

  196. Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability 査読有り 国際誌

    Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  197. Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates 査読有り 国際誌 Open Access

    Usami, S; Tanaka, A; Fukushima, H; Ando, Y; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  198. Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers 査読有り

    Nan, H; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

  199. Comparison of Al<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N multiple quantum wells designed for 265 and 285nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps 査読有り

    Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ipponmatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Chichibu, SF

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 6 )   2019年6月

  200. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019) 査読有り

    Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Sitar, Z; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁： 13 - 13   2019年5月

  201. Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE Open Access

    Nagamatsu, K; Ando, Y; Kono, T; Cheong, H; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁： 78 - 83   2019年4月

  202. Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method 査読有り

    Yamada Jumpei, Usami Shigeyoshi, Ueda Yuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Maruyama Takahiro, Naritsuka Shigeya

    Jpn. J. Appl. Phys.   58 巻 ( 4 )   2019年3月

  203. Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy Open Access

    Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁： 50 - 53   2019年3月

  204. Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Gate Dielectrics 査読有り Open Access

    Yoshino, M; Ando, Y; Deki, M; Toyabe, T; Kuriyama, K; Honda, Y; Nishimura, T; Amano, H; Kachi, T; Nakamura, T

    MATERIALS   12 巻 ( 5 )   2019年3月

  205. 窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化

    佐藤 大樹, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1 巻   頁： 1474 - 1474   2019年2月

  206. Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation 査読有り Open Access

    Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁： 58 - 65   2019年2月

  207. How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire 査読有り Open Access

    Hu, N; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁： 205 - 208   2019年2月

  208. Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown Open Access

    Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

  209. Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AIN template with macrosteps 査読有り

    Kojima K, Nagasawa Y, Hirano A, Ippommatsu M, Honda Y, Amano H, Akasaki I, Chichibu S. F

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 1 )   2019年1月

  210. 高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察 査読有り

    仲野 靖孝, 本田 善央, 天野 浩, 松本 実子, 穴田 智史, 山本 和生, 石川 由加里, 平山 司, 安藤 悠人, 小倉 昌也, 田中 敦之

    まてりあ   58 巻 ( 2 ) 頁： 103-103 - 103   2019年

  211. Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 査読有り

    Nakano, T; Chokawa, K; Araidai, M; Shiraishi, K; Oshiyama, A; Kusaba, A; Kangawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     頁： .   2019年

  212. Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method

    Kashima, M; Sato, D; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Iijima, H; Meguro, T

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   36 巻 ( 6 )   2018年11月

  213. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

      57 巻 ( 10 )   2018年10月

  214. High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire 査読有り Open Access

    Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁： 377 - 380   2018年9月

  215. 大気暴露したGaN半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測

    佐藤 大樹, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2 巻   頁： 1571 - 1571   2018年9月

  216. Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition 査読有り

      57 巻 ( 9 )   2018年9月

  217. Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N<sub>2</sub> Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Barry, OI; Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   12 巻 ( 8 )   2018年8月

  218. Raman Spectroscopic Study of GaN Grown on (111)Si Using an AlInN Intermediate Layer by MOVPE 査読有り

    T.Sugiura, S.Kawasaki, Y.Honda, T.Nonaka, D.Oikawa, T.Tsukamoto, H.Andoh, H.Amano

    Book of abstracts ISGN-7(7th International Symposium on Growth of IIINitrides)     頁： Po01   2018年8月

  219. Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> passivated by sputtering 査読有り

    Ueoka, Y; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

  220. Study on the Main-Chain Structure of Amorphous Fluorine Resins for Encapsulating AlGaN-Based DUV-LEDs

    Yamada, K; Nagasawa, Y; Nagai, S; Hirano, A; Ippommatsu, M; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 10 )   2018年5月

  221. <i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates Open Access

    Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 )   2018年5月

  222. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り Open Access

      11 巻 ( 5 )   2018年5月

  223. Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching Open Access

    Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Yamamoto, T; Usami, S; Kushimoto, M; Murakami, S; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   255 巻 ( 5 )   2018年5月

  224. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

    Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

    APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

  225. Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 国際誌 Open Access

    Yang, X; Nitta, S; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lee, HJ; Liu, YH; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁： 1 - 8   2018年1月

  226. Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN 査読有り

    Nakano, T; Araidai, M; Shiraishi, K; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H

    GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8   86 巻 ( 12 ) 頁： 41 - 49   2018年

  227. Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes 査読有り

    Yates Luke, Pavlidis Georges, Graham Samuel, Usami Shigeyoshi, Nagamatsu Kentaro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

    PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018)     頁： 831-837   2018年

  228. Charge-to-time converting leading-edge discriminator for plastic-scintillator signals 国際誌

      875 巻   頁： 193 - 200   2017年12月

  229. Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes 国際誌

    Sang, LW; Ren, B; Sumiya, M; Liao, MY; Koide, Y; Tanaka, A; Cho, YJ; Harada, Y; Nabatame, T; Sekiguchi, T; Usami, S; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 12 )   2017年9月

  230. Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations 国際誌

    Tanikawa, T; Shojiki, K; Katayama, R; Kuboya, S; Matsuoka, T; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 巻 ( 8 )   2017年8月

  231. Selective-area growth of doped GaN nanorods by pulsed-mode MOCVD: Effect of Si and Mg dopants

    Bae, SY; Lekhal, K; Lee, HJ; Min, JW; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

  232. Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE 国際誌

    Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

  233. Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes 国際誌

    Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

  234. Decomposition of trimethylgallium and adduct formation in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor analyzed by high-resolution gas monitoring system 国際誌

    Nagamatsu, K; Nitta, S; Ye, Z; Nagao, H; Miki, S; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

  235. A-plane GaN growth on (11-20) 4H-SiC substrate with an ultrathin interlayer 国際誌

    Sun, Z; Song, PF; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 866 - 869   2017年6月

  236. Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer 国際誌

    Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Tamura, A; Suzuki, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 547 - 551   2017年6月

  237. Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of <i>m</i>-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers 国際誌

    Barry, OI; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lekhal, K; Matsushita, J; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 552 - 556   2017年6月

  238. Uneven AlGaN multiple quantum well for deep-ultraviolet LEDs grown on macrosteps and impact on electroluminescence spectral output 査読有り

      56 巻 ( 6 )   2017年6月

  239. Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer 国際誌

      468 巻   頁： 110 - 113   2017年6月

  240. Annealing effect on threading dislocations in a GaN grown on Si substrate 国際誌

      468 巻   頁： 835 - 838   2017年6月

  241. III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates 査読有り Open Access

      7 巻   2017年3月

  242. AlN and AlGaN layers grown on Si(111) substrate by mixed-source hydride vapor phase epitaxy method 国際誌

    Jeon, H; Jeon, I; Lee, GS; Bae, SG; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

  243. Mechanism of light emission and manufacturing process of vertical-type light-emitting diode grown by hydride vapor phase epitaxy 国際誌

    Lee, GS; Jeon, H; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Lee, SC; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

  244. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics 査読有り

        頁： .   2017年

  245. Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

    Ogura M, Ando Y, Usami S, Nagamatsu K, Kushimoto M, Deki M, Tanaka A, Nitta S, Honda Y, Pristovsek M, Kawai H, Yagi S, Amano H

    2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁： .   2017年

  246. Improved crystal quality of semipolar (10(1)over-bar3) GaN on Si(001) substrates using AlN/GaN superlattice interlayer 国際誌

    Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Mitsunari, T; Tamura, A; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   454 巻   頁： 114 - 120   2016年11月

  247. Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by a selective area growth with HVPE 国際誌

    Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Mitsunari, T; Tamura, A; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   447 巻   頁： 55 - 61   2016年8月

  248. Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulated structures using a selected resin through a detailed feasibility study 国際誌

    Nagai, S; Yamada, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Ito, M; Morishima, N; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 8 )   2016年8月

  249. Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 国際誌

    Yamamoto, T; Tamura, A; Usami, S; Mitsunari, T; Nagamatsu, K; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  250. Study of radiation detection properties of GaN pn diode

    Sugiura, M; Kushimoto, M; Mitsunari, T; Yamashita, K; Honda, Y; Amano, H; Inoue, Y; Mimura, H; Aoki, T; Nakano, T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  251. Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum 国際誌

    Bae, SY; Jung, BO; Lekhal, K; Lee, DS; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  252. Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy 国際誌

    Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Mitsunari, T; Tamura, A; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  253. Preflow trimethylaluminum treatment effect on GaN growth on SiC with an ultrathin interlayer 国際誌

    Sun, Z; Nagamatsu, K; Olsson, M; Song, PF; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  254. Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN photocathodes with negative electron affinity 国際誌

    Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  255. Growth of semipolar (1(1)over-bar01) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 国際誌

    Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  256. Growth of AlN layer on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy 国際誌

    Lee, GS; Lee, C; Jeon, H; Lee, C; Bae, SG; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Lee, JH; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  257. Theoretical approach to surface reconstruction of InN(0001) during raised-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy

    Kusaba, A; Kangawa, Y; Honda, Y; Amano, H; Kakimoto, K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 5 )   2016年5月

  258. Emission Characteristics of InGaN/GaN Core-Shell Nanorods Embedded in a 3D Light-Emitting Diode 国際誌 Open Access

    Jung, BO; Bae, SY; Lee, S; Kim, SY; Lee, JY; Honda, Y; Amano, H

    NANOSCALE RESEARCH LETTERS   11 巻 ( 1 ) 頁： 215   2016年4月

  259. Study of enhanced photovoltaic behavior in InGaN-based solar cells by using SiN<i><sub>x</sub></i> insertion layer: Influence of dislocations

    Lee, S; Honda, Y; Amano, H; Jang, J; Nam, O

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 3 )   2016年3月

  260. Effect of piezoelectric field on carrier dynamics in InGaN-based solar cells 国際誌

    Lee, S; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   49 巻 ( 2 )   2016年1月

  261. The interface analysis of GaN grown on 0° off 6H-SiC with an ultra-thin buffer layer

    Sun, Z; Ohta, A; Miyazaki, S; Nagamatsu, K; Lee, H; Olsson, M; Ye, Z; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 巻 ( 1 )   2016年1月

  262. Development of AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) LEDs focusing on the fluorine resin encapsulation and the prospect of the practical applications 国際誌

    Hirano, A; Nagasawa, Y; Iypommatsu, M; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

    UV AND HIGHER ENERGY PHOTONICS: FROM MATERIALS TO APPLICATIONS   9926 巻   2016年

  263. Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal-organic vapor deposition 国際誌

    Bae, SY; Jung, BO; Lekhal, K; Kim, SY; Lee, JY; Lee, DS; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

    CRYSTENGCOMM   18 巻 ( 9 ) 頁： 1505 - 1514   2016年

  264. Excitation density dependence of radiative and nonradiative recombination lifetimes in InGaN/GaN multiple quantum wells 国際誌 Open Access

    Murotani, H; Yamada, Y; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 巻 ( 5 ) 頁： 940 - 945   2015年5月

  265. Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

      8 巻 ( 2 ) 頁： 022702   2015年2月

  266. Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

    Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Applied Physics Express   8 巻 ( 2 ) 頁： 022702   2015年2月

  267. Optically pumped lasing properties of (1(1)over-bar01) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 国際誌

    Kushimoto, M; Tanikawa, T; Honda, Y; Amano, H

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 巻 ( 2 )   2015年2月

  268. Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region 国際誌

    Jung, BO; Bae, SY; Kim, SY; Lee, S; Lee, JY; Lee, DS; Kato, Y; Honda, Y; Amano, H

    NANO ENERGY   11 巻   頁： 294 - 303   2015年1月

  269. GaN/SiC Epitaxial growth for high power and high switching speed device applications 査読有り

    Zheng Sun, Shigeyoshi Usami, Di Lu, Takahiro Ishii, Marc Olsson, Kouhei Yamashita, Tadashi Mitsunari, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1736 巻   頁： 65 - 69   2015年

  270. Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA 査読有り

    T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X   9363 巻   2015年

  271. Nature of yellow luminescence band in GaN grown on Si substrate 国際誌

    Ito, S; Nakagita, T; Sawaki, N; Ahn, HS; Irie, M; Hikosaka, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 11 )   2014年11月

  272. NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 (電子部品・材料) 査読有り 国際誌

    佐藤 大樹, 西谷 智博, 前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 202 ) 頁： 49-54 - 54   2014年9月

  273. P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (シリコン材料・デバイス) 査読有り 国際誌

    SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 58 ) 頁： 109-112 - 112   2014年5月

  274. P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子部品・材料) 査読有り

    SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 57 ) 頁： 109-112 - 112   2014年5月

  275. P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子デバイス)

    SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 巻 ( 56 ) 頁： 109-112 - 112   2014年5月

  276. Characterization of nonpolar <i>a</i>-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO<sub>2</sub> mask 査読有り 国際誌

    Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 5 )   2014年5月

  277. <i>In situ</i> X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り 国際誌

    Ju, GX; Honda, Y; Tabuchi, M; Takeda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   115 巻 ( 9 )   2014年3月

  278. Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り 国際誌

    Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 巻 ( 3 )   2014年3月

  279. Novel activation process for Mg-implanted GaN 国際誌

    Hashimoto, S; Nakamura, T; Honda, Y; Amano, H

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   388 巻   頁： 112 - 115   2014年2月

  280. Growth of low-defect-density nonpolar <i>a</i>-plane GaN on <i>r</i>-plane sapphire using pulse NH<sub>3</sub> interrupted etching 査読有り 国際誌 Open Access

    Son, JS; Honda, Y; Amano, H

    OPTICS EXPRESS   22 巻 ( 3 ) 頁： 3585 - 3592   2014年2月

  281. Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

        頁： 90030E-90030E-6   2014年

  282. Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

      53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01   2014年

  283. Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching 査読有り

      22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592   2014年

  284. Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

      11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725   2014年

  285. Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

      53 巻 ( 3 ) 頁： 30306   2014年

  286. Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

      16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282   2014年

  287. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

      11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396   2014年

  288. In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

      115 巻 ( 9 ) 頁： 94906   2014年

  289. Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

      388 巻   頁： 112-115   2014年

  290. Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires 査読有り Open Access

      11 巻 ( 3-4 ) 頁： 652 - 655   2014年

  291. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

      11 巻 ( 3-4 ) 頁： 393 - 396   2014年

  292. Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 国際誌

    Yamashita, K; Sugiyama, T; Iwai, M; Honda, Y; Yoshino, T; Amano, H

    LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVIII   9003 巻   2014年

  293. Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り 国際誌

    Jung, BO; Bae, SY; Kato, Y; Imura, M; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

    CRYSTENGCOMM   16 巻 ( 11 ) 頁： 2273 - 2282   2014年

  294. Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り 国際誌

      11 巻 ( 3-4 ) 頁： 722 - 725   2014年

  295. X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ju, Guangxu, Kato, Yoshihiro, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

    physica status solidi (c)   11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396   2014年

  296. Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

    Yamashita, Kouhei, Sugiyama, Tomohiko, Iwai, Makoto, Honda, Yoshio, Yoshino, Takashi, Amano, Hiroshi

    SPIE OPTO     頁： 90030E-90030E-6   2014年

  297. Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

    Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01   2014年

  298. Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching 査読有り

    Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

    Optics express   22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592   2014年

  299. Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

    Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   53 巻 ( 3 ) 頁： 30306   2014年

  300. Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

    Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    physica status solidi (c)   11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725   2014年

  301. In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

    Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

    Journal of Applied Physics   115 巻 ( 9 ) 頁： 94906   2014年

  302. Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

    Hashimoto, Shin, Nakamura, Takao, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

    Journal of Crystal Growth   388 巻   頁： 112-115   2014年

  303. Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

    Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

    CrystEngComm   16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282   2014年

  304. MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 331 ) 頁： 47 - 50   2013年11月

  305. 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)

    前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 330 ) 頁： 43 - 46   2013年11月

  306. 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)

    前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 329 ) 頁： 43 - 46   2013年11月

  307. 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 331 ) 頁： 43 - 46   2013年11月

  308. MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)

    若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 330 ) 頁： 47 - 50   2013年11月

  309. MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)

    若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 巻 ( 329 ) 頁： 47 - 50   2013年11月

  310. Effects of Nano- and Microscale SiO<sub>2</sub> Masks on the Growth of <i>a</i>-Plane GaN Layers on <i>r</i>-Plane Sapphire

    Son, JS; Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Seo, YG; Hwang, SM; Baik, KH

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 ) 頁： 08JC04 - 08JC04-4   2013年8月

  311. GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template

    Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8 ) 頁： 08JB03   2013年8月

  312. Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires 査読有り

    Murotani, H; Andoh, H; Tsukamoto, T; Sugiura, T; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 巻 ( 8 ) 頁： 08JE10   2013年8月

  313. Correlation between internal quantum efficiency and degree of localization in InGaN nanowires 査読有り

    H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    10th Inter. Conf. Nitride Semiconductors     2013年8月

  314. Recombination dynamics of localized excitons in InGaN nanowires 査読有り

    H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    18th Inter. Conf. Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures, TuP-6     2013年7月

  315. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

  316. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

  317. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

  318. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372   2013年3月

  319. Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

    Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16   2013年

  320. Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り

    Tanikawa, Tomoyuki; Sano, Tomotaka; Kushimoto, Maki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05   2013年

  321. Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

    Tabata, Takuya; Paek, Jihyun; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE06   2013年

  322. Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り

    Son, Ji-Su; Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min; Baik, Kwang Hyeon;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04   2013年

  323. Characteristics of< i> a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned< i> r</i>-plane sapphire substrates 査読有り

    Son, Ji-Su; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Baik, Kwang Hyeon; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min;

    Thin Solid Films   546 巻   頁： 108-113   2013年

  324. Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate 査読有り

    Sawaki, N; Ito, S; Nakagita, T; Iwata, H; Tanikawa, T; Irie, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H;

    SPIE OPTO     頁： 86250K-86250K-6   2013年

  325. High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り

    Sano, Tomotaka; Doi, Tomohiro; Inada, Shunko Albano; Sugiyama, Tomohiko; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Yoshino, Takashi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09   2013年

  326. Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り

    Okuno, Koji; Oshio, Takahide; Shibata, Naoki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09   2013年

  327. Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

    Ohata, Toshiya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB11   2013年

  328. GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Nakagawa, Shinta; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07   2013年

  329. Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

    Murotani, Hideaki; Yamada, Yoichi; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Journal of Applied Physics   114 巻 ( 15 ) 頁： 153506   2013年

  330. GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template 査読有り

    Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB03   2013年

  331. Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Doi, Tomohiro; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB14   2013年

  332. Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN 査読有り

    Amano, Hiroshi;

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 5R ) 頁： 50001   2013年

  333. Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Okuno Koji, Oshio Takahide, Shibata Naoki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Tanaka Shigeyasu, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3   10 巻 ( 3 ) 頁： 369 - 372   2013年

  334. Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

    Ohata, Toshiya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB11   2013年

  335. Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN 査読有り

    Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 5R ) 頁： 50001 - 050001-10   2013年

  336. Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

    Tabata, Takuya, Paek, Jihyun, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE06   2013年

  337. Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Doi, Tomohiro, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB14   2013年

  338. Characteristics of< i> a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned< i> r</i>-plane sapphire substrates 査読有り

    Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Baik, Kwang Hyeon, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min

    Thin Solid Films   546 巻   頁： 108-113   2013年

  339. High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り

    Sano, Tomotaka, Doi, Tomohiro, Inada, Shunko Albano, Sugiyama, Tomohiko, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi, Yoshino, Takashi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09   2013年

  340. Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

    Yamada, Takaya, Tanikawa, Tomoyuki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16   2013年

  341. Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り

    Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09   2013年

  342. GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

    Nakagawa, Shinta, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07   2013年

  343. Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り

    Tanikawa, Tomoyuki, Sano, Tomotaka, Kushimoto, Maki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05   2013年

  344. Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り

    Son, Ji-Su, Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min, Baik, Kwang Hyeon

    Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04   2013年

  345. Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

    Murotani, Hideaki, Yamada, Yoichi, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

    Journal of Applied Physics   114 巻 ( 15 ) 頁： 153506   2013年

  346. Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate

    Sawaki, N, Ito, S, Nakagita, T, Iwata, H, Tanikawa, T, Irie, M, Honda, Y, Yamaguchi, M, Amano, H

    SPIE OPTO   8625 巻   頁： 86250K-86250K-6   2013年

  347. Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

    S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, and H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385   2012年12月

  348. Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

    S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385   2012年12月

  349. InGaNナノワイヤの内部量子効率に対する積層欠陥の影響

    室谷 英彰, 安藤 浩哉, 塚本 武彦, 杉浦 藤虎, 山田 陽一, 田畑 拓也, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2 巻   頁： 3246 - 3246   2012年8月

  350. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 巻 ( 32 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

  351. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

  352. Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

    久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   112 巻 ( 34 ) 頁： 15 - 18   2012年5月

  353. Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (b)   249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471   2012年3月

  354. Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (b)   249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471   2012年3月

  355. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

    T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649   2012年3月

  356. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

    T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649   2012年3月

  357. Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り

    T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 875–878   2012年3月

  358. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

    T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 480–483   2012年3月

  359. A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN 査読有り

    N. Sawaki, K. Hagiwara, K. Yamashita, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    SPIE   8262 巻   頁： 82620D   2012年3月

  360. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

    T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 480–483   2012年3月

  361. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

    T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649   2012年3月

  362. Enhancement of two-dimensional electron gases in AlGaN-channel high-electron-mobility transistors with AlN barrier layers 査読有り

    Hashimoto, S; Akita, K; Yamamoto, Y; Ueno, M; Nakamura, T; Takeda, K; Iwaya, M; Honda, Y; Amano, H

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   209 巻 ( 3 ) 頁： 501 - 504   2012年3月

  363. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE

    T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649   2012年3月

  364. InGaNナノワイヤにおける内部量子効率の発光波長依存性

    室谷 英彰, 安藤 浩哉, 塚本 武彦, 杉浦 藤虎, 山田 陽一, 田畑 拓也, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.1 巻   頁： 140 - 140   2012年2月

  365. Impurity incorporation in semipolar (1-101) GaN grown on an Si substrate 査読有り

    N. Sawaki, K. Hagiwara, T. Hikosaka, and Y. Honda

    Semicond. Sci. Technol.   27 巻   頁： 024006_1-024006_5   2012年1月

  366. Impurity incorporation in semipolar (1-101) GaN grown on an Si substrate 査読有り

    N. Sawaki, K. Hagiwara, T. Hikosaka, Y. Honda

    Semicond. Sci. Technol.   27 巻   頁： 024006_1-024006_5   2012年1月

  367. Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

    Tabata Takuya, Paek Jihyun, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646 - 649   2012年

  368. In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

    Mitsunari Tadashi, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 480 - 483   2012年

  369. Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り

    T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, Y. Mori

    phys. stat. sol. (c)   9 巻 ( 3-4 ) 頁： 875 - 878   2012年

  370. A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN

    N. Sawaki, K. Hagiwara, K. Yamashita, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    SPIE   8262 巻   頁： 82620D   2012年

  371. Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

    T. Inazu, S. Fukahori, C. Pernot, M. H. Kim, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 12 ) 頁： 122101_1-122101_3   2011年12月

  372. Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

    T. Inazu, S. Fukahori, C. Pernot, M. H. Kim, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 12 ) 頁： 122101_1-122101_3   2011年12月

  373. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁： 503-504   2011年12月

  374. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁： 503-504   2011年12月

  375. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁： 503-504   2011年12月

  376. Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

    T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    AIP Conf. Proc.   1399 巻   頁： 503-504   2011年12月

  377. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    Kim Myunghee, Fujita Takehiko, Fukahori Shinya, INAZU Tetsuhiko, PERNOT Cyril, NAGASAWA Yosuke, HIRANO Akira, IPPOMMATSU Masamichi, IWAYA Motoaki, TAKEUCHI Tetsuya, KAMIYAMA Satoshi, YAMAGUCHI Masahito, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi, AKASAKI Isamu

    Applied physics express   4 巻 ( 9 ) 頁： "092102 - 1"-"092102-3"   2011年9月

  378. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3   2011年8月

  379. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3   2011年8月

  380. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3   2011年8月

  381. AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

    M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3   2011年8月

  382. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito, AMANO Hiroshi, SAWAKI Nobuhiko

    IEICE technical report   111 巻 ( 44 ) 頁： 63 - 66   2011年5月

  383. GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

    SUGIYAMA T., HONDA Y., YAMAGUCHI M., AMANO H., ISOBE Y., OSHIMURA Y., IWAYA M., TAKEUCHI T., KAMIYAMA S., AKASAKI I., IMADE M., KITAOKA Y., MORI Y.

    IEICE technical report   111 巻 ( 46 ) 頁： 175 - 178   2011年5月

  384. GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

    SUGIYAMA T., HONDA Y., YAMAGUCHI M., AMANO H., ISOBE Y., OSHIMURA Y., IWAYA M., TAKEUCHI T., KAMIYAMA S., AKASAKI I., IMADE M., KITAOKA Y., MORI Y.

    IEICE technical report   111 巻 ( 45 ) 頁： 175 - 178   2011年5月

  385. GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

    杉山 貴之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 磯部 康裕, 押村 吉徳, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 今出 完, 北岡 康夫, 森 勇介

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁： 175 - 178   2011年5月

  386. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁： 123 - 126   2011年5月

  387. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁： 123 - 126   2011年5月

  388. AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

    朴 貴珍, 杉山 貴之, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 稲津 哲彦, 藤田 武彦, ペルノー シリル, 平野 光

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁： 123 - 126   2011年5月

  389. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁： 63 - 66   2011年5月

  390. (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

    谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁： 63 - 66   2011年5月

  391. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

    田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   111 巻 ( 45 ) 頁： 45 - 48   2011年5月

  392. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

    田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   111 巻 ( 46 ) 頁： 45 - 48   2011年5月

  393. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

    田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111 巻 ( 44 ) 頁： 45 - 48   2011年5月

  394. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178   2011年5月

  395. Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504   2011年5月

  396. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178   2011年5月

  397. Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504   2011年5月

  398. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178   2011年5月

  399. Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    phys. stat. sol. (a)   208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178   2011年5月

  400. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 14 ) 頁： 141905   2011年4月

  401. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki and Y. Honda

    SCIENCE CHINA Technological Sciences   54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41   2011年4月

  402. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 14 ) 頁： 141905   2011年4月

  403. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 14 ) 頁： 141905   2011年4月

  404. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki, Y. Honda

    SCIENCE CHINA Technological Sciences   54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41   2011年4月

  405. Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

    Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 14 ) 頁： 141905   2011年4月

  406. Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504   2011年3月

  407. Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504   2011年3月

  408. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    SPIE   7939 巻   頁： 79391X   2011年3月

  409. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    SPIE   7939 巻   頁： 79391X   2011年3月

  410. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates (vol 4, 012105, 2011) Open Access

    Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 巻 ( 3 )   2011年3月

  411. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    SPIE   7939 巻   頁： 79391X   2011年3月

  412. Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates 査読有り

    I. W. Feng, X. K. Cao, J. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, N. Sawaki, Y. Honda, T. Tanikawa, J. M. Zavada

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 巻 ( 8 )   2011年2月

  413. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates

    Chiu Ching-Hsueh, Lin Da-Wei, Lin Chien-Chung, LI Zhen-Yu, CHANG Wei-Ting, HSU Hung-Wen, KUO Hao-Chung, LU Tien-Chang, WANG Shing-Chung, LIAO Wei-Tsai, TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito, SAWAKI Nobuhiko

    Applied physics express   4 巻 ( 1 ) 頁： "012105 - 1"-"012105-3"   2011年1月

  414. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki and Y. Honda

    SCIENCE CHINA Technological Sciences   54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41   2011年1月

  415. Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki, Y. Honda

    SCIENCE CHINA Technological Sciences   54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41   2011年1月

  416. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3   2011年1月

  417. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3   2011年1月

  418. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3   2011年1月

  419. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3   2011年1月

  420. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3   2011年1月

  421. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3   2011年1月

  422. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3   2011年1月

  423. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3   2011年1月

  424. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3   2011年1月

  425. Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

    Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3   2011年1月

  426. Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3   2011年1月

  427. Drain bias stress and memory effects in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate 査読有り

    Sugiyama Takayuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Oshimura Yoshinori, Iida Daisuke, Iwaya Motoaki, Akasaki Isamu

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

  428. Optical properties of (1-101) InGaN/GaN MQW stripe laser structure on Si substrate 査読有り

    Murase Tasuku, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

  429. Selective MOVPE growth of InGaN/GaN MQW on microfacet GaN stripes 査読有り

    Tanikawa Tomoyuki, Murase Tasuku, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 巻 ( 7-8 )   2011年

  430. Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

    C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Appl. Phys. Express   4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3   2011年

  431. Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

    C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    SPIE   7939 巻   頁： 79391X   2011年

  432. IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs 査読有り

    H. Amano, G. J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nagata, K. Nonaka, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki

    2011 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)     2011年

  433. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

    B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578   2010年10月

  434. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

    B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Physica E   42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578   2010年10月

  435. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

    B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica E   42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578   2010年10月

  436. Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

    B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica E   42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578   2010年10月

  437. HVPE growth of a -plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

    T. Tanikawa, N. Suzuki, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   7 巻 ( 7-8 ) 頁： 1760–1763   2010年7月

  438. HVPE growth of a -plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

    T. Tanikawa, N. Suzuki, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   7 巻 ( 7-8 ) 頁： 1760–1763   2010年7月

  439. 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 査読有り

    TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito

    IEICE technical report   109 巻 ( 422 ) 頁： 23 - 28   2010年2月

  440. 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 査読有り

    TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito

    IEICE technical report   109 巻 ( 423 ) 頁： 23 - 28   2010年2月

  441. HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

    Tanikawa Tomoyuki, Suzuki Noriyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8   7 巻 ( 7-8 )   2010年

  442. Selective growth and impurity incorporation in semipolar GaN grown on Si substrate 査読有り

    N. Sawaki, Y. Honda, T. Hikosaka, S. Tanaka, M. Yamaguchi, N. Koide, K. Tomita

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES V   7602 巻   2010年

  443. Percolation transport in an AlGaN/GaN heterostructure 招待有り 査読有り Open Access

    N. Sawaki, X. X. Han, Y. Honda, and M. Yamaguchi

    Journal of Physics: Conference Series   193 巻   頁： 012012_1-012012_4   2009年11月

  444. Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

    M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Korean Phys. Soc.   54 巻 ( 6 ) 頁： 2363   2009年6月

  445. Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

    M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Korean Phys. Soc.   54 巻 ( 6 ) 頁： 2363   2009年6月

  446. *DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

    Y. Honda, T. Hikosaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki, G. Pozina, F. Karlsson, V. Darakchieva, P. Paskov, and B. Monemar

    phys. stat. sol. (c)   6 巻 ( S2 ) 頁： S772   2009年5月

  447. *DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

    Y. Honda, T. Hikosaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki, G. Pozina, F. Karlsson, V. Darakchieva, P. Paskov, B. Monemar

    phys. stat. sol. (c)   6 巻 ( S2 ) 頁： S772   2009年5月

  448. *Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

    N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2867   2009年3月

  449. Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2914   2009年3月

  450. MOVPE growth and properties of GaN on (111)Si using an AlInN intermediate layer 査読有り

    M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2891   2009年3月

  451. *Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Kagohashi, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2879   2009年3月

  452. *HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on GaN template (113)Si substrate 査読有り

    N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2875   2009年3月

  453. *Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

    N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda, M. Yamaguchi

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 - 2867   2009年3月

  454. *Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si 査読有り

    T. Tanikawa, Y. Kagohashi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2879   2009年3月

  455. *HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on GaN template (113)Si substrate 査読有り

    N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2875   2009年3月

  456. Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

    M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2914   2009年3月

  457. MOVPE growth and properties of GaN on (111)Si using an AlInN intermediate layer 査読有り

    M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   311 巻 ( 10 ) 頁： 2891   2009年3月

  458. Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

    X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio

    J. Phys. D   42 巻 ( 4 ) 頁： 045112-1   2009年1月

  459. Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

    X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, M. Nishio

    J. Phys. D   42 巻 ( 4 ) 頁： 045112-1   2009年1月

  460. DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

    Honda Yoshio, Hikosaka Toshiki, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko, Pozina Galia, Karlsson Fredrik, Darakchieva Vanya, Paskov Plamen, Monemar Bo

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁： S772 - S775   2009年

  461. Percolation transport in an AlGaN/GaN heterostructure 招待有り 査読有り Open Access

    N. Sawaki, X. X. Han, Y. Honda, M. Yamaguchi

    Journal of Physics: Conference Series   193 巻   頁： 012012_1-012012_4   2009年

  462. Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り Open Access

    E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369   2008年

  463. Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968   2008年

  464. *Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

    T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234?2237   2008年

  465. Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

    J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746?1749   2008年

  466. Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り Open Access

    E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369   2008年

  467. *Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

    T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234 - 2237   2008年

  468. Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

    J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746 - 1749   2008年

  469. Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968   2008年

  470. Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

    J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746 - 1749   2008年

  471. Growth of non-polar (1 1 2̄ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Tanikawa, T, Rudolph, D, Hikosaka, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

    J Cryst Growth   310 巻 ( 23 ) 頁： 4999 - 5002   2008年

  472. Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

    T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234 - 2237   2008年

  473. Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

    中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   107 巻 ( 252 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

  474. Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

    中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   107 巻 ( 253 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

  475. Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

    中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   107 巻 ( 251 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

  476. MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

    Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   300 巻 ( 1 ) 頁： 110 - 113   2007年3月

  477. Transport properties of the two-dimensional electron gas in Al<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N/GaN heterostructures

    Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   19 巻 ( 4 ) 頁： 046204   2007年1月

  478. Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り

    K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 29?32   2007年

  479. Acceptor Level due to Carbon in a (1?101)AlGaN 査読有り

    N. Sawaki, N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

    AIP Conf. Proc.   893 巻   頁： 281-282   2007年

  480. Al doping in (1?101) GaN films grown on patterned (001) Si substrate 査読有り

    T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Appl. Phys.   101 巻 ( 10 ) 頁： 103513-1-103513-5   2007年

  481. MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

    Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   300 巻 ( 1 ) 頁： 110-113   2007年

  482. Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7o off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   298 巻   頁： 207-210   2007年

  483. Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1?xN/GaN heterostructures 査読有り

    X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

    J. Phys.: Condens. Matter   19 巻 ( 4 ) 頁： 046204_1-046204_11   2007年

  484. Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 133?136   2007年

  485. Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り

    S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 125?128   2007年

  486. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

    E.H. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2838-2841   2007年

  487. Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

    S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, and N. Sawaki

    J. Electron Microsc.   56 巻 ( 4 ) 頁： 141-144   2007年

  488. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

    S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Ichihashi

    J. Electron Microsc.   56 巻 ( 2 ) 頁： 37-42   2007年

  489. Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り

    K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2240-2243   2007年

  490. Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読有り

    X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2334-2337   2007年

  491. The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2509   2007年

  492. Series resistance in a GaN/AlGaN/n-Si structure grown by MOVPE 査読有り

    Y. Honda, S. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2740-2743   2007年

  493. Series resistance in a GaN/AlGaN/n-Si structure grown by MOVPE 査読有り

    Y. Honda, S. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2740-2743   2007年

  494. Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読有り

    X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2334-2337   2007年

  495. The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2509   2007年

  496. Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

    E.H. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2838-2841   2007年

  497. Acceptor Level due to Carbon in a (1?101)AlGaN 査読有り

    N. Sawaki, N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi

    AIP Conf. Proc.   893 巻   頁： 281 - +   2007年

  498. Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り

    S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 125 - +   2007年

  499. Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り

    K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 29 - +   2007年

  500. Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

    S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, N. Sawaki

    J. Electron Microsc.   56 巻 ( 4 ) 頁： 141-144   2007年

  501. Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り

    K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2240 - +   2007年

  502. Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 133 - +   2007年

  503. Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

    S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, M. Ichihashi

    J. Electron Microsc.   56 巻 ( 2 ) 頁： 37-42   2007年

  504. Al doping in (1?101) GaN films grown on patterned (001) Si substrate 査読有り

    T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Appl. Phys.   101 巻 ( 10 ) 頁： 103513-1-103513-5   2007年

  505. Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7o off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   298 巻   頁： 207-210   2007年

  506. Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り

    K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1461?1465   2006年

  507. Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 10A ) 頁： 7655-7660   2006年

  508. Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り

    H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5A ) 頁： 4015?4017   2006年

  509. Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り

    E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1992?1996   2006年

  510. p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1425?1428   2006年

  511. Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り Open Access

    Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1915?1918   2006年

  512. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (b)   243 巻 ( 7 ) 頁： 1665?1668   2006年

  513. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (b)   243 巻 ( 7 ) 頁： 1665?1668 - 1668   2006年

  514. Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り

    E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1992?1996   2006年

  515. p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1425 - 1428   2006年

  516. Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り

    H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 5A ) 頁： 4015?4017   2006年

  517. Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 10A ) 頁： 7655-7660   2006年

  518. Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り

    K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1461 - 1465   2006年

  519. Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り Open Access

    Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   3 巻 ( 6 ) 頁： 1915 - 1918   2006年

  520. Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

    N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341 - 346   2005年11月

  521. (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   105 巻 ( 90 ) 頁： 69 - 74   2005年5月

  522. (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

    彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   105 巻 ( 92 ) 頁： 69 - 74   2005年5月

  523. Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

    H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (a)   202 巻 ( 6 ) 頁： 1048 - 1052   2005年5月

  524. Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Appl. Surf. Science   243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178 - 182   2005年4月

  525. Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

    Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   2 巻 ( 7 ) 頁： 2125? 2128   2005年

  526. Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

    N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341?346   2005年

  527. Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

    H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (a)   202 巻 ( 6 ) 頁： 1048?1052   2005年

  528. Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁： 373-376   2005年

  529. Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

    K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁： 361-364   2005年

  530. Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁： 251-254   2005年

  531. Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Surf. Science   243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178-182   2005年

  532. Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   2 巻 ( 7 ) 頁： 2349?2352   2005年

  533. Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁： 373-376   2005年

  534. Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

    K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁： 361 - 364   2005年

  535. Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

    T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   184 巻   頁： 251 - 254   2005年

  536. Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

    T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   2 巻 ( 7 ) 頁： 2349 - 2352   2005年

  537. Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

    Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   2 巻 ( 7 ) 頁： 2125 - 2128   2005年

  538. Doping of GaN, AlGaN by mixed-source HVPE 査読有り

    JY Yi, KH Kim, HJ Lee, M Yang, HS Ahn, CR Cho, SW Kim, Y Honda, M Yamaguchi, N Sawaki

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS   184 巻   頁： 373 - 376   2005年

  539. Metalorganic-hydride vapor phase epitaxy growth of GaN/AlN on Si substrates

    H. J. Lee, K. H. Kim, J. Y. Yi, M. Yang, H. S. Ahn, J. H. Chang, H. S. Kim, S. N. Yi, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Journal of the Korean Physical Society   45 巻   頁： S813 - S815   2004年12月

  540. Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り Open Access

    T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   84 巻 ( 23 ) 頁： 4717 - 4719   2004年6月

  541. MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

    本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   104 巻 ( 43 ) 頁： 17 - 22   2004年5月

  542. MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

    本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   104 巻 ( 41 ) 頁： 17 - 22   2004年5月

  543. MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

    本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   104 巻 ( 39 ) 頁： 17 - 22   2004年5月

  544. Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

    Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

    Physica E   21 巻 ( 2-4 ) 頁： 787 - 792   2004年3月

  545. Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, M. Ichihashi

    J. Cryst. Growth   260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360 - 365   2004年1月

  546. Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

    Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

    Physica E   21 巻 ( 2-4 ) 頁： 782-792   2004年

  547. Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

    A. Nishioka, Y. Honda, and N. Sawaki

    Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004   3-1 巻   頁： 297-300   2004年

  548. Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

    Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, and Nobuhiko Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   1 巻 ( 10 ) 頁： 2512?2515   2004年

  549. Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, and M. Ichihashi

    J. Cryst. Growth   260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360-365   2004年

  550. Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   1 巻 ( 10 ) 頁： 2474?2477   2004年

  551. Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り

    T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett.   84 巻 ( 23 ) 頁： 4717-4719   2004年

  552. Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1?xN/GaN heterostructures 査読有り

    X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Phys.: Condens. Matter   19 巻 ( 4 ) 頁： 2297 - 2300   2004年

  553. Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

    A. Nishioka, Y. Honda, N. Sawaki

    Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004   3-1 巻   頁： 297-300   2004年

  554. Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

    Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   1 巻 ( 10 ) 頁： 2512 - 2515   2004年

  555. Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

    K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   1 巻 ( 10 ) 頁： 2474 - 2477   2004年

  556. Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

    M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S750 - S752   2003年2月

  557. Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

    K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S219 - S221   2003年2月

  558. Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

    H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻   頁： S622 - S624   2003年2月

  559. HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

    Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2510   2003年

  560. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

    T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2154-2158   2003年

  561. Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

    H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻   頁： S622-S624   2003年

  562. The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2043-2046   2003年

  563. Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

    M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S750-S752   2003年

  564. Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

    K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S219-S221   2003年

  565. HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

    Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2506 - 2510   2003年

  566. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

    T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2154 - 2158   2003年

  567. The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2043 - 2046   2003年

  568. The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

    Tetsuo Narita, Toshiki Hikosaka, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

    Physica Status Solidi C: Conferences   ( 7 ) 頁： 2154 - 2158   2003年

  569. Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate 査読有り

    Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, IWASAKI Ryuta, SAWAKI Nobuhiko, TANJI Takayoshi

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   41 巻 ( 7 ) 頁： L846 - L848   2002年7月

  570. Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁： 82 - 86   2002年7月

  571. Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 7B ) 頁： L846 - L848   2002年7月

  572. Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁： 77 - 81   2002年7月

  573. Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性 査読有り

    成田 哲生, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 114 ) 頁： 25 - 28   2002年6月

  574. Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性 査読有り

    成田 哲生, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   102 巻 ( 117 ) 頁： 25 - 28   2002年6月

  575. Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長 査読有り

    鳥飼 正幸, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   102 巻 ( 117 ) 頁： 21 - 24   2002年6月

  576. Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長 査読有り

    鳥飼 正幸, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 114 ) 頁： 21 - 24   2002年6月

  577. (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長 査読有り

    亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   102 巻 ( 78 ) 頁： 27 - 31   2002年5月

  578. (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長 査読有り

    亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 76 ) 頁： 27 - 31   2002年5月

  579. (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長 査読有り

    亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   102 巻 ( 80 ) 頁： 27 - 31   2002年5月

  580. 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製 査読有り

    黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   102 巻 ( 78 ) 頁： 15 - 19   2002年5月

  581. 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製 査読有り

    黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 76 ) 頁： 15 - 19   2002年5月

  582. 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製 査読有り

    黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   102 巻 ( 80 ) 頁： 15 - 19   2002年5月

  583. Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   237 巻 ( 2 ) 頁： 1099 - 1103   2002年4月

  584. Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

    Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett   80 巻 ( 2 ) 頁： 222 - 224   2002年1月

  585. Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

    Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Appl. Phys. Lett   80 巻 ( 2 ) 頁： 222-224   2002年

  586. Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   237-239 巻 ( 2 ) 頁： 1099-1103   2002年

  587. Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁： 77-81   2002年

  588. Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, and T. Tanji

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 7B ) 頁： L846-L848   2002年

  589. HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

    Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 1 ) 頁： 107-111   2002年

  590. Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   170 巻   頁： 789-794   2002年

  591. Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁： 82-86   2002年

  592. Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate. 査読有り

    Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, Iwasaki Ryuta, Sawaki Nobuhiko, Tanji Takayoshi

    Japanese Journal of Applied Physics   41 巻 ( 7 ) 頁： L846 - L848   2002年

  593. Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   170 巻 ( 170 ) 頁： 789 - 794   2002年

  594. HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

    Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 1 ) 頁： 107 - 111   2002年

  595. Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

    Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   230 巻 ( 3-4 ) 頁： 346 - 350   2001年9月

  596. Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り Open Access

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, M. Hibino

    Appl. Phys. Lett   79 巻 ( 7 ) 頁： 955 - 957   2001年8月

  597. Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 巻 ( 3B ) 頁： 1896 - 1898   2001年3月

  598. 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製 査読有り

    山口 雅史, 本田 善央, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   100 巻 ( 643 ) 頁： 25 - 30   2001年2月

  599. Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 巻 ( 3B ) 頁： 1896-1898   2001年

  600. Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り Open Access

    S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Hibino

    Appl. Phys. Lett   79 巻 ( 7 ) 頁： 955-957   2001年

  601. Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

    Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    J. Cryst. Growth   230 巻 ( 3-4 ) 頁： 346-350   2001年

  602. MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御 査読有り

    本田 善央, 大竹 洋一, 川口 靖利, 山口 雅史, 澤木 宣彦

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   99 巻 ( 616 ) 頁： 21 - 28   2000年2月

  603. Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

    Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

    IPAP Conf. Series   1 巻   頁： 304-307   2000年

  604. Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

    Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

    IPAP Conf. Series   1 巻   頁： 302 - 307   2000年

  605. Selective Area Growth of GaN on Stripe-Patterned (111)Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, K. Hiramatsu

    Phys. Stat. Sol. (a)   176 巻 ( 1 ) 頁： 557 - 560   1999年11月

  606. Crystal orientation fluctuation of epitaxial-lateral-overgrown GaN with W mask and SiO2 mask observed by transmission electron diffraction and X-ray rocking curves 査読有り

    Y Honda, Y Iyechika, T Maeda, H Miyake, K Hiramatsu, H Sone, N Sawaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   38 巻 ( 11B ) 頁： L1299 - L1302   1999年11月

  607. Selective Area Growth of GaN on Stripe-Patterned (111)Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, and K. Hiramatsu

    Phys. Stat. Sol. (a)   176 巻   頁： 553-556   1999年

  608. Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   162 巻   頁： 687-692   1999年

  609. Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki

    Inst. Phys. Conf. Ser.   162 巻 ( 162 ) 頁： 687 - 692   1999年

  610. Selective area growth of GaN on Si substrate using SiO_2 mask by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   37 巻 ( 8B ) 頁： L966 - L969   1998年8月

  611. Selective area growth of GaN on Si substrate using SiO_2 mask by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

    Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   37 巻 ( 8B ) 頁： L966-L969   1998年